RN1965FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | RN1965FE(TE85L,F) |
---|---|
Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $0.10 |
10+ | $0.077 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | ES6 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2kOhms |
Leistung - max | 100mW |
Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Grundproduktnummer | RN1965 |
RN1965FE(TE85L,F) Einzelheiten PDF [English] | RN1965FE(TE85L,F) PDF - EN.pdf |
RN1964 TOSHIBA
RN1963FS TOSHIBA
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1965 TOSHIBA
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1966FE TOSHIB
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN1964FE TOSHIBA
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN1963FE TOSHIBA
RN1966FS TOSHIBA
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1968FS TOSHIBA
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
2024/04/4
2024/04/13
2024/06/6
2024/04/19
RN1965FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|